来源:集微网 | 时间:2022-05-07 14:13:50
(CWW)碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,在功率半导体等领域具有巨大应用潜力,但长期以来面临大尺寸晶体制备的工艺难题,碳化硅单晶衬底在器件成本中占比也高达近50%。
近期,中科院物理研究所科研人员通过优化生长工艺,改善晶体结晶质量,成功制备单一4H晶型的8英寸碳化硅(SiC)晶体,并加工出厚度约2mm的8英寸SiC晶片,实现了国产大尺寸碳化硅单晶衬底的突破。
中科院方面表示,该成果转化后,将有助于增强我国在SiC单晶衬底的国际竞争力。
标签: 功率半导体
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